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Yoon, Hyung Sup
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1
A Study on the Behavior of Gate Recess Etch by Photoresist ..:
Min, Byoung-Gue
;
Chang, Sung-Jae
;
Jung, Hyun-Wook
...
Journal of the Korean Physical Society. 77 (2020) 2 - p. 122-126 , 2020
Link:
https://doi.org/10.3938/..
?
2
Improvement of Proton Radiation Hardness Using ALD-Deposite..:
Chang, Sung-Jae
;
Cho, Kyu Jun
;
Jung, Hyun-Wook
...
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 8 (2019) 12 - p. Q245-Q248 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
3
DC and RF Characteristics of 100-nm mHEMT Devices Fabricate..:
Yoon, Hyung Sup
;
Min, Byoung-Gue
;
Chang, Sung-Jae
...
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science. 30 (2019) 4 - p. 282-285 , 2019
Link:
https://doi.org/10.5515/..
?
4
Operational Improvement of AlGaN/GaN High Electron Mobility..:
Kwak, Hyeon-Tak
;
Chang, Seung-Bo
;
Kim, Hyun-Jung
...
Applied Sciences. 8 (2018) 6 - p. 974 , 2018
Link:
https://doi.org/10.3390/..
?
5
DC and RF Characteristics of Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/G..:
Jung, Hyun-Wook
;
Chang, Sung-Jae
;
Do, Jae-Won
...
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 7 (2018) 4 - p. P197-P200 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
6
Characterization of 0.18-μm gate length AlGaN/GaN HEMTs on ..:
Yoon, Hyung Sup
;
Min, Byoung-Gue
;
Lee, Jong Min
...
Journal of the Korean Physical Society. 71 (2017) 6 - p. 360-364 , 2017
Link:
https://doi.org/10.3938/..
?
7
ETRI 0.25 μm GaN MMIC Process and X-BandPower Amplifier MMI:
Lee, Sang-Heung
;
Kim, Seong-Il
;
Ahn, Ho-Kyun
...
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering andScience. 28 (2017) 1 - p. 1-9 , 2017
Link:
https://doi.org/10.5515/..
?
8
The effects of tetramethylammonium hydroxide treatment on t..:
Do, Jae-Won
;
Jung, Hyun-Wook
;
Shin, Min Jeong
...
Thin Solid Films. 628 (2017) - p. 31-35 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment for Interface Qual..:
Jung, Hyun-Wook
;
Shin, Min Jeong
;
Chang, Sung-Jae
...
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 6 (2017) 4 - p. P184-P186 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
10
DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with ga..:
Yoon, Hyung Sup
;
Min, Byoung Gue
;
Lee, Jong Min
...
Journal of the Korean Physical Society. 67 (2015) 4 - p. 654-657 , 2015
Link:
https://doi.org/10.3938/..
?
11
Fabrication and electrical properties of an AlGaN/GaN HEMT ..:
Min, Byoung-Gue
;
Kim, Seong-Il
;
Lee, Jong-Min
...
Journal of the Korean Physical Society. 67 (2015) 4 - p. 718-722 , 2015
Link:
https://doi.org/10.3938/..
?
12
Characteristics of a field plate connected to T-shaped gate..:
Cho, Kyu Jun
;
Ahn, Ho Kyun
;
Kim, Sung Il
...
Journal of the Korean Physical Society. 67 (2015) 4 - p. 682-686 , 2015
Link:
https://doi.org/10.3938/..
?
13
X‐band 100 W solid‐state power amplifier using a 0.25 μM Ga..:
Kang, Dong Min
;
Lim, Jong Won
;
Ahn, Ho Kyun
...
Microwave and Optical Technology Letters. 57 (2014) 1 - p. 212-216 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
14
80–110 GHz MMIC amplifiers using a 0.1‐μm GaAs‐based mHEMT ..:
Kang, Dong Min
;
Yoon, Hyung Sup
Microwave and Optical Technology Letters. 54 (2012) 8 - p. 1978-1982 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
15
A transceiver module for automotive radar sensors using W‐b..:
Kang, Dong Min
;
Hong, Ju Yeon
;
Yoon, Hyung Sup
..
Microwave and Optical Technology Letters. 50 (2008) 9 - p. 2371-2376 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1002/..
1-15