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Zhou, Jiaan
156
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Buchkapitel (Online) (2)
OpenAccess-Volltexte (52)
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?
1
Annealing Process on Metal–Oxide–Semiconductor Channel Prop..:
Zhou, Jiaan
;
Yang, An
;
Yu, Guohao
...
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters. , 2024
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
2
High-Performance N-Polar GaN/AlGaN Metal–Insulator–Semicond..:
Guo, Bohan
;
Yu, Guohao
;
Zhang, Li
...
Crystals. 14 (2024) 3 - p. 253 , 2024
Link:
https://doi.org/10.3390/..
?
3
Polarization Properties in AlGaN/GaN HEMT-Array with a Shif..:
Xing, Runxian
;
Zhang, Ping
;
Guo, Hongyang
...
Plasmonics. , 2024
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
4
Improved Gate Stability of Metal–Insulator–Semiconductor-Hi..:
Li, Yu
;
Zhou, Jiaan
;
Xing, Runxian
...
ACS Applied Electronic Materials. , 2024
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
5
Current-collapse suppression and leakage-current decrease i..:
Liu, Bosen
;
Yu, Guohao
;
Jia, Huimin
...
Journal of Semiconductors. 45 (2024) 7 - p. 072501 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
6
Comparative Analysis of the GaN Nonpolar Plane Morphology b..:
Zhou, Jiaan
;
Tang, Wenxin
;
Ju, Tao
...
ACS Applied Materials & Interfaces. 15 (2023) 21 - p. 26159-26165 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
7
Comparing Electrical Performance of Lateral GaN Schottky Ba..:
, In:
2023 20th China International Forum on Solid State Lighting & 2023 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)
,
Zhou, Jiaan
;
Yu, Guohao
;
Hao, Chunfeng
. - p. 215-217 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
8
Study of enhancement-mode GaN pFET with H plasma treated ga..:
Gao, Xiaotian
;
Yu, Guohao
;
Zhou, Jiaan
...
Journal of Semiconductors. 44 (2023) 11 - p. 112801 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
9
Highly Reliable Temperature Sensor Based on p-GaN/AlGaN/GaN..:
Yang, An
;
Wei, Xing
;
Shen, Wenchao
...
Crystals. 13 (2023) 4 - p. 620 , 2023
Link:
https://doi.org/10.3390/..
?
10
Effective suppression of interface states in recessed-gate ..:
Li, Yu
;
Yu, Guohao
;
Wang, Heng
...
Applied Physics Express. 17 (2023) 1 - p. 011004 , 2023
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
11
Polarization Properties in GaN Double-Channel HEMTs at Mid-..:
Xing, Runxian
;
Guo, Hongyang
;
Yu, Guohao
...
Plasmonics. 19 (2023) 3 - p. 1121-1130 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
12
Effects of the stepped sidewall morphology on the ON-state ..:
Tang, Wenxin
;
Zhou, Jiaan
;
Yu, Guohao
...
Applied Physics Express. 15 (2022) 7 - p. 076502 , 2022
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
13
Implementation of Recessed Gate Normally off GaN Metal–Insu..:
Liu, Weining
;
Yu, Guohao
;
Zhou, Jiaan
...
ACS Applied Electronic Materials. 4 (2022) 3 - p. 897-902 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
14
Robust control and training risk reduction for boiler level..:
Kang, Jia-Lin
;
Mirzaei, Somayeh
;
Zhou, Jia-An
Journal of the Taiwan Institute of Chemical Engineers. 130 (2022) - p. 103956 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
15
Preparation of highly (111) textured nanotwinned copper by ..:
Zhan, Xiaofei
;
Lian, Jian
;
Li, Hongjun
...
Electrochimica Acta. 365 (2021) - p. 137391 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-15