Dazord, A.
155  results:
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Effect of growth parameters on the heteroepitaxy of 3C-SiC ..:

Soueidan, M. ; Ferro, G. ; Nsouli, B....
Materials Science and Engineering: B.  130 (2006)  1-3 - p. 66-72 , 2006
 
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3

Surface preparation of -SiC for the epitaxial growth of 3C–..:

Soueidan, M. ; Ferro, G. ; Dazord, J...
Journal of Crystal Growth.  275 (2005)  1-2 - p. e1011-e1016 , 2005
 
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6

Hexamethyldisilane/propane versus silane/propane precursors..:

Ferro, G ; Camassel, J ; Juillaguet, S...
Semiconductor Science and Technology.  18 (2003)  12 - p. 1015-1023 , 2003
 
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8

N-enrichment at the GaAs1−xNx/GaAs(001) interface: microstr..:

Dumont, H. ; Auvray, L. ; Dazord, J....
Journal of Crystal Growth.  248 (2003)  - p. 441-445 , 2003
 
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Study of surface defects on 3C–SiC films grown on Si(111) b..:

Hernández, M.J ; Ferro, G ; Chassagne, T..
Journal of Crystal Growth.  253 (2003)  1-4 - p. 95-101 , 2003
 
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11

Quality of life of children and adolescents after kidney or..:

Manificat, S. ; Dazord, A. ; Cochat, P....
Pediatric Transplantation.  7 (2003)  3 - p. 228-235 , 2003
 
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12

Qualité de vie d'une population de 54 enfants infirmes mote..:

Hodgkinson, I ; d'Anjou, M.C ; Dazord, A.
Annales de Réadaptation et de Médecine Physique.  45 (2002)  4 - p. 154-158 , 2002
 
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Entraînement sportif personnalisé dans la prise en charge d..:

Dupuis, J.M ; Vivant, J.F ; Daudet, G...
Archives de Pédiatrie.  7 (2000)  11 - p. 1185-1193 , 2000
 
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15

MOVPE growth of GaAsN: surface study by AFM and optical pro..:

Auvray, L. ; Dumont, H. ; Dazord, J....
Materials Science in Semiconductor Processing.  3 (2000)  5-6 - p. 505-509 , 2000
 
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