Mertens, Hans
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Schuldrecht 2 

, In: Bürgerliches Gesetzbuch : mit Einführungsgesetz und Nebengesetzen / begr. von Hs. Th. Soergel. Neu hrsg. von W. Siebert ...
Bd. 3
,
(§§ 433 - 515) : AGB-Gesetz, AbzG, EAG, EKG, UN-KaufAbk  Kohlhammer-Kommentar
Mertens, Hans-Joachim ; Soergel, Hans Theodor ; Siebert, Wolfgang - 12., neubearb. Aufl., Stand: Frühjahr 1991 . , 1991
 
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Schuldrecht 1 

, In: Bürgerliches Gesetzbuch : mit Einführungsgesetz und Nebengesetzen / begr. von Hs. Th. Soergel. Neu hrsg. von W. Siebert ...
Bd. 2
,
(§§ 241 - 432)  Kohlhammer-Kommentar
Mertens, Hans-Joachim ; Soergel, Hans Theodor ; Siebert, Wolfgang - 12., neubearb. Aufl., Stand: Juli 1990 . , 1990
 
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§§ 433 - 515, AGB-Gesetz, AbzG, EKG, EKAG 

Schuldrecht I2:

, In: , In: Bürgerliches Gesetzbuch : mit Einführungsgesetz und Nebengesetzen / begr. von Hs. Th. Soergel. Neu hrsg. von W. Siebert,
Kohlhammer-Kommentar
Mertens, Hans-Joachim ; Soergel, Hans Theodor ; Siebert, Wolfgang - 11., neubearb. Aufl., Stand: Frühjahr 1986 . , 1986
Copies:  Zentrale:Magazin 01.j.8683-2,2
 
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§§ 241 - 432 

Schuldrecht I1:

, In: , In: Bürgerliches Gesetzbuch : mit Einführungsgesetz und Nebengesetzen / begr. von Hs. Th. Soergel. Neu hrsg. von W. Siebert,
Kohlhammer-Kommentar
Mertens, Hans-Joachim ; Soergel, Hans Theodor ; Siebert, Wolfgang - 11., neubearb. Aufl., Stand: Frühjahr 1986 . , 1986
Copies:  Zentrale:Magazin 01.j.8683-2,1
 
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Investigating Nanowire, Nanosheet and Forksheet FET Hot-Car..:

, In: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS),
Vandemaele, Michiel ; Kaczer, Ben ; Bury, Erik... - p. 1-10 , 2023
 
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CFET SRAM With Double-Sided Interconnect Design and DTCO Be..:

Liu, Hsiao-Hsuan ; Schuddinck, Pieter ; Pei, Zhenlin...
IEEE Transactions on Electron Devices.  70 (2023)  10 - p. 5099-5106 , 2023
 
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The Low-Frequency Noise Behavior of Advanced Logic and Memo..:

, In: 2022 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC),
 
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The properties, effect and extraction of localized defect p..:

, In: 2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS),
 
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Scaling of double-gated WS2 FETs to sub-5nm physical gate l..:

, In: 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),
Smets, Quentin ; Schram, Tom ; Verreck, Devin... - p. 34.2.1-34.2.4 , 2021
 
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