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Effets galvanomagnétiques dans les semiconducteurs anisotro..:

Cristoloveanu, S ; Lee, J.H ; Chovet, A
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1051/rphysap:01980001503072500. , 1980

Link: https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244782

RT Journal
T1 <Title>Effets galvanomagnétiques dans les semiconducteurs anisotropes inhomogènes Application à la caractérisation des films de silicium sur saphir</Title>

UL https://suche.suub.uni-bremen.de/peid=base-ftccsdartic:oai:HAL:jpa-00244782v1&Exemplar=1&LAN=DE
				
A1 Cristoloveanu, S
A1 Lee, J.H
A1 Chovet, A
PB HAL CCSD; Société française de physique / EDP
YR 1980
K1 carrier relaxation time
K1 effective mass band structure
K1 magnetoresistance
K1 semiconductor insulator boundaries
K1 silicon
K1 silicon compounds
K1 inhomogeneous anisotropic semiconductors
K1 sapphire
K1 galvanomagnetic effects
K1 effective mass
K1 relaxation time
K1 carrier concentration
K1 Hall effect
K1 longitudinal magnetoresistance
K1 magnetic inductions
K1 epitaxial direction
K1 anisotropy coefficient
K1 carrier mobility
K1 Si SiO sub 2 interface
K1 transverse magnetoresistance
K1 n type Si thin film
K1 elemental semiconductors
K1 [PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives
JF info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1051/rphysap:01980001503072500
LK http://dx.doi.org/https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244782
DO https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244782
SF ELIB - SuUB Bremen

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