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Influence des zones d'accès sur la résistance à l'état pass..:

Sanchez, Jean-Louis ; Tranduc, Henri ; Phan Pham, T...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1051/rphysap:019850020011075900. , 1985

Link: https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245391

RT Journal
T1 <Title>Influence des zones d'accès sur la résistance à l'état passant des transistors moyennes tensions VDMOS de puissance</Title>

UL https://suche.suub.uni-bremen.de/peid=base-ftccsdartic:oai:HAL:jpa-00245391v1&Exemplar=1&LAN=DE
				
A1 Sanchez, Jean-Louis
A1 Tranduc, Henri
A1 Phan Pham, T
A1 Gharbi, Mohamed
A1 Rossel, P
A1 Charitat, G
A1 Vertongen, B
PB HAL CCSD; Société française de physique / EDP
YR 1985
K1 accumulation layers
K1 insulated gate field effect transistors
K1 power transistors
K1 DMOS transistor
K1 access regions
K1 drain drift bulk
K1 accumulated drain layer
K1 ON resistance
K1 power DMOST
K1 electron drift mobility
K1 accumulation layer
K1 gate voltage
K1 ON state conductance
K1 breakdown voltage
K1 [PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives
JF info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1051/rphysap:019850020011075900
LK http://dx.doi.org/https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245391
DO https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245391
SF ELIB - SuUB Bremen

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