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Jonctions Ga0,96Al0,04Sb adaptées à la photodétection à 1,5..:

Perotin, M ; Gouskov, L ; Luquet, H...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1051/rphysap:01987002208093500. , 1987

Link: https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245635

RT Journal
T1 <Title>Jonctions Ga0,96Al0,04Sb adaptées à la photodétection à 1,55 μm réalisées par épitaxie en phase liquide</Title>

UL https://suche.suub.uni-bremen.de/peid=base-ftccsdartic:oai:HAL:jpa-00245635v1&Exemplar=1&LAN=DE
				
A1 Perotin, M
A1 Gouskov, L
A1 Luquet, H
A1 Jean, A
A1 Silvestre, P
A1 Magallon, D
A1 Martinez, C
A1 Bougnot, G
PB HAL CCSD; Société française de physique / EDP
YR 1987
K1 diffused planar devices
K1 semiconductor
K1 semiconductor growth
K1 photodetectors
K1 liquid phase epitaxial growth
K1 p n homojunctions
K1 III V semiconductors
K1 gallium compounds
K1 aluminium compounds
K1 p sup
K1 n junctions
K1 tunnel effect
K1 photoelectrical properties
K1 p n junctions
K1 reverse current
K1 diodes
K1 effective doping level
K1 external efficiency
K1 photodetection
K1 liquid phase epitaxy
K1 Ga sub 0.96 Al sub 0.04 Sb junctions
K1 1.55 micron
K1 avalanche device
K1 diffusion defects
K1 [PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives
JF info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1051/rphysap:01987002208093500
LK http://dx.doi.org/https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245635
DO https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245635
SF ELIB - SuUB Bremen

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