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Propriétés électroniques quasi-bidimensionnelles de couches..:

Lavielle, D ; Portal, J.C ; Stohr, M...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1051/rphysap:01989002405053900. , 1989

Link: https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00246079

RT Journal
T1 <Title>Propriétés électroniques quasi-bidimensionnelles de couches épitaxiales de GaAs à dopage δ</Title>

UL https://suche.suub.uni-bremen.de/peid=base-ftccsdartic:oai:HAL:jpa-00246079v1&Exemplar=1&LAN=DE
				
A1 Lavielle, D
A1 Portal, J.C
A1 Stohr, M
A1 Najda, S.P
A1 Briggs, A
A1 Gillmann, G
A1 Bois, P
A1 Barbier, E
A1 Vinter, B
PB HAL CCSD; Société française de physique / EDP
YR 1989
K1 electronic conduction in crystalline semiconductor thin films
K1 gallium arsenide
K1 Hall effect
K1 III V semiconductors
K1 semiconductor epitaxial layers
K1 silicon
K1 quasibidimensional electronic properties
K1 magnetoresistance
K1 Hall density
K1 doping levels
K1 photoconductivity
K1 semiconductor
K1 high magnetic fields
K1 accumulation layer
K1 electric subbands
K1 GaAs:Si epitaxial layers
K1 [PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives
JF info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1051/rphysap:01989002405053900
LK http://dx.doi.org/https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00246079
DO https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00246079
SF ELIB - SuUB Bremen

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