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Variación de la brecha de energía electrónica del fosforeno..:

Ospina Domínguez, Nestar Santiago
H. Liu, A. T. Neal, Z. Zhu, Z. Luo, X. Xu, D. Tomanek, and P. D. Ye. Phosphorene: An unexplored 2d semiconductor with a high hole mobility. ACS Nano, Vol 8:pgs. 4033–4041, 2014. doi:10.1021/nn501226z.. , 2022

Link: https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/82881

RT Journal
T1 <Title>Variación de la brecha de energía electrónica del fosforeno con el número de capas, campo eléctrico externo y presión ; 磷烯的电子能隙随层数、外电场和压力的变化 ; Variation de la bande interdite d'énergie électronique du phosphorène avec le nombre de couches, le champ électrique externe et la pression ; Variation of the electronic breach of phosphorene with layer number, external electric field and pressure</Title>

UL https://suche.suub.uni-bremen.de/peid=base-ftuncolombiair:oai:repositorio.unal.edu.co:unal_82881&Exemplar=1&LAN=DE
				
A1 Ospina Domínguez, Nestar Santiago
PB Universidad Nacional de Colombia; Bogotá - Ciencias - Maestría en Ciencias - Física; Facultad de Ciencias; Bogotá, Colombia; Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá
YR 2022
K1 500 - Ciencias naturales y matemáticas
K1 530 - Física
K1 FOSFORO
K1 Phosphorus
K1 NO METALES
K1 Fosforeno
K1 Capas
K1 Campo Eléctrico
K1 Presión
K1 Fósforo negro
K1 Multi-capas
K1 Brecha electrónica
K1 Phosphorene
K1 Black-phosphorus
K1 Multilayers
K1 Electronic gap
K1 Electric field
JF H. Liu, A. T. Neal, Z. Zhu, Z. Luo, X. Xu, D. Tomanek, and P. D. Ye. Phosphorene: An unexplored 2d semiconductor with a high hole mobility. ACS Nano, Vol 8:pgs. 4033–4041, 2014. doi:10.1021/nn501226z.
LK http://dx.doi.org/https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/82881
DO https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/82881
SF ELIB - SuUB Bremen

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