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Electrical properties and modeling of Advanced MOS devices ..:

Park, So Jeong
NNT: 2013GRENT075. , 2013

Link: https://theses.hal.science/tel-00954637

RT Journal
T1 <Title>Electrical properties and modeling of Advanced MOS devices : FD-SOI Tri-gate device, Junctionless Transistor, and Amorphous-Oxide-Semiconductor Thin Film Transistor ; Propriétés électriques et modélisation des dispositifs MOS avanvés : dispositif FD-SOI, transistors sans jonctions (JLT) et transistor à couche mince à semi-conducteur d'oxyde amorphe. Electrical properties and modeling of advanced MOS devices : FD-SOI device, Junctionless Transistor, and Amorphous-Oxide-Semiconductor Thin Film Transistor</Title>

UL https://suche.suub.uni-bremen.de/peid=base-ftunigrenoble:oai:HAL:tel-00954637v1&Exemplar=1&LAN=DE
				
A1 Park, So Jeong
PB HAL CCSD
YR 2013
K1 Nano device
K1 Electrical characterization
K1 Electrical parameter extraction
K1 Electrical measurement techniques
K1 Surface/interface properties
K1 Nano dispositifs
K1 Caractérisation électrique
K1 Extraction de paramètres électriques
K1 Techniques de mesure électrique
K1 Propriétés de surface et interface
K1 [SPI.OTHER]Engineering Sciences [physics]/Other
JF NNT: 2013GRENT075
LK http://dx.doi.org/https://theses.hal.science/tel-00954637
DO https://theses.hal.science/tel-00954637
SF ELIB - SuUB Bremen

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