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Croissance par épitaxie en phase liquide et caractérisation..:

Karouta, F ; Mani, H ; Bhan, J..
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1051/rphysap:0198700220110145900. , 1987

RT Journal
T1 <Title>Croissance par épitaxie en phase liquide et caractérisation d'alliages Ga1-xIoxAsySb1-y à paramètre de maille accordé sur celui de GaSb</Title>

UL https://suche.suub.uni-bremen.de/peid=base-ftunimontpellier:oai:HAL:jpa-00245695v1&Exemplar=1&LAN=DE
				
A1 Karouta, F
A1 Mani, H
A1 Bhan, J
A1 Fan Jia Hua
A1 Joullié, A
PB HAL CCSD; Société française de physique / EDP
YR 1987
K1 lattice matched
K1 liquid phase epitaxy
K1 miscibility gap
K1 epilayers
K1 residual doping
K1 energy gap
K1 spin orbit splitting
K1 electroreflectance
K1 Ga sub 1 x In sub x As sub y Sb sub 1 y solid solution
K1 GaSb substrates
K1 GaInAsSb GaSb
K1 gallium arsenide
K1 III V semiconductors
K1 indium antimonide
K1 liquid phase epitaxial growth
K1 semiconductor epitaxial layers
K1 semiconductor growth
K1 spin orbit interactions
K1 semiconductor
K1 dislocation density
K1 growth
K1 [PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives
JF info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1051/rphysap:0198700220110145900
LK http://dx.doi.org/https://hal.science/jpa-00245695
DO https://hal.science/jpa-00245695
SF ELIB - SuUB Bremen

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