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3D sequential integration with Si CMOS stacked on 28nm indu..:

, In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM),

Mota-Frutuoso, T. ; Lapras, V. ; Brunet, L.... - p. 1-4 , 2023

Link: https://doi.org/10.1109/IEDM45741.2023.10413864

RT 
T1 <cTitle>2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)</cTitle>: T1 <Title>3D sequential integration with Si CMOS stacked on 28nm industrial FDSOI with Cu-ULK iBEOL featuring RO and HDR pixel</Title>

UL https://suche.suub.uni-bremen.de/peid=ieee-10413864&Exemplar=1&LAN=DE
				
A1 Mota-Frutuoso, T.
A1 Lapras, V.
A1 Brunet, L.
A1 Basset, L.
A1 Lugo, J.
A1 Fenouillet-Beranger, C.
A1 Vinet, M.
A1 Lattard, D.
A1 Boulard, F.
A1 Exbraya, Y.
A1 Boutry, D.
A1 Billoint, O.
A1 Bosch, D.
A1 Maneglia, Y.
A1 Peizerat, A.
A1 Dumas, S.
A1 Sicard, G.
A1 Kerdiles, S.
A1 Kanyandekwe, J.
A1 Sideris, P.
A1 Mazzocchi, V.
A1 Sarrazin, A.
A1 Loup, V.
A1 Mauguen, G.
A1 Morales, C.
A1 Alba, P. Acosta
A1 Balan, V.
A1 Perrot, C.
A1 Sturm, J.
A1 Euvrard, C.
A1 Aussenac, F.
A1 Janaud, A.
A1 Chapon, J-D.
A1 Guillermet, M.
A1 Guglieri, S.
A1 Bailly, F.
A1 Toresani, P.
A1 Fournel, F.
A1 Mouhdach, M.
A1 Berthoud, A.
A1 Chapelon, L-L.
A1 Ribotta, M.
A1 Ponthenier, F.
A1 Magalhaes, A.
A1 Maitrejean, S.
A1 Moulin, C.
A1 Michailos, J.
A1 Arnaud, F.
A1 Cathelin, A.
A1 Arcamone, J.
A1 Andrieu, F.
A1 Garros, X.
A1 Gaillard, F.
A1 Batude., P.
YR 2023
SN 2156-017X
K1 Three-dimensional displays
K1 Silicon-on-insulator
K1 Hafnium
K1 Silicon
K1 Threshold voltage
K1 Contamination
K1 Substrates
SP 1
OP 4
LK http://dx.doi.org/https://doi.org/10.1109/IEDM45741.2023.10413864
DO https://doi.org/10.1109/IEDM45741.2023.10413864
SF ELIB - SuUB Bremen

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