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High Performance 45-nm SOI Technology with Enhanced Strain,..:

, In: 2006 International Electron Devices Meeting,

Agnello, P. ; Ivers, T. ; Warm, C.... - p. None , 2006

Link: https://doi.org/10.1109/IEDM.2006.346879

RT 
T1 <cTitle>2006 International Electron Devices Meeting</cTitle>: T1 <Title>High Performance 45-nm SOI Technology with Enhanced Strain, Porous Low-k BEOL, and Immersion Lithography</Title>

UL https://suche.suub.uni-bremen.de/peid=ieee-4154298&Exemplar=1&LAN=DE
				
A1 Agnello, P.
A1 Ivers, T.
A1 Warm, C.
A1 Wise, R.
A1 Wachnik, R.
A1 Schepis, D.
A1 Sankaran, S.
A1 Norum, J.
A1 Luning, S.
A1 Li, Y.
A1 Khare, M.
A1 Grill, A.
A1 Edelstein, D.
A1 Chen, X.
A1 Brown, D.
A1 Augur, R.
A1 Wu, S.
A1 Yu, J.
A1 Wong, R.C.
A1 Werking, J.
A1 Wehella-Gamage, D.
A1 Vayshenker, A.
A1 Van Meer, H.
A1 Van Den Nieuwenhuizen, R.
A1 Tian, C.
A1 Tabakman, K.
A1 Sung, C.Y.
A1 Standaert, T.
A1 Simon, A.
A1 Sim, J.
A1 Sheraw, C.
A1 Restaino, D.
A1 Rausch, W.
A1 Pal, R.
A1 Prindle, C.
A1 Ouyang, X.
A1 Ouyang, C.
A1 Ontalus, V.
A1 Nummy, K.
A1 Nielsen, D.
A1 Nicholson, L.
A1 McKnight, A.
A1 Lustig, N.
A1 Liu, X.
A1 Lee, M.H.
A1 Lea, D.
A1 Larosa, G.
A1 Landers, W.
A1 Kim, B.
A1 Kelling, M.
A1 Jeng, S.-J.
A1 Holt, J.
A1 Hargrove, M.
A1 Grunow, S.
A1 Greco, S.
A1 Gates, S.
A1 Frye, A.
A1 Fisher, P.
A1 Domenicucci, A.
A1 Dimitrakopoulos, C.
A1 Costrini, G.
A1 Chou, A.
A1 Cheng, J.
A1 Butt, S.
A1 Black, L.
A1 Belyansky, M.
A1 Ahsan, I.
A1 Adam, T.
A1 Gabor, A.
A1 Wu, C.-H.J.
A1 Yang, D.
A1 Crouse, M.
A1 Robinson, C.
A1 Corliss, D.
A1 Fonseca, C.
A1 Johnson, J.
A1 Weybright, M.
A1 Waite, A.
A1 Nayfeh, H.M.
A1 Onishi, K.
A1 Narasimha, S.
YR 2006
SN 0163-1918
SN 2156-017X
K1 Capacitive sensors
K1 Lithography
K1 CMOS technology
K1 Wiring
K1 Delay
K1 FETs
K1 Random access memory
K1 Dielectrics
K1 DSL
K1 Stress
SP None
LK http://dx.doi.org/https://doi.org/10.1109/IEDM.2006.346879
DO https://doi.org/10.1109/IEDM.2006.346879
SF ELIB - SuUB Bremen

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