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Three-Layer BEOL Process Integration with Supervia and Self..:

, In: 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),

Vega-Gonzalez, V. ; Bekaert, J. ; Kesters, E.... - p. 19.3.1-19.3.4 , 2019

Link: https://doi.org/10.1109/IEDM19573.2019.8993538

RT 
T1 <cTitle>2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)</cTitle>: T1 <Title>Three-Layer BEOL Process Integration with Supervia and Self-Aligned-Block Options for the 3 nm Node</Title>

UL https://suche.suub.uni-bremen.de/peid=ieee-8993538&Exemplar=1&LAN=DE
				
A1 Vega-Gonzalez, V.
A1 Bekaert, J.
A1 Kesters, E.
A1 Le, Q. T.
A1 Lorant, C.
A1 Varela P., O.
A1 Teugels, L.
A1 Heylen, N.
A1 El-Mekki, Z.
A1 van der Veen, M.
A1 Webers, T.
A1 Wilson, C. J.
A1 Vats, H.
A1 Rynders, L.
A1 Cupak, M.
A1 Uk-Lee, J.
A1 Drissi, Y.
A1 Halipre, L.
A1 Charley, A.-L.
A1 Verdonck, P.
A1 Witters, T.
A1 Gompel, S. V.
A1 Briggs, B.
A1 Kimura, Y.
A1 Jourdan, N.
A1 Ciofi, I.
A1 Gupta, A.
A1 Contino, A.
A1 Boccardi, G.
A1 Lariviere, S.
A1 Dupas, L.
A1 De-Wachter, B.
A1 Vancoille, E.
A1 Decoster, S.
A1 Lazzarino, F.
A1 Ercken, M
A1 Debacker, P.
A1 Kim, R.
A1 Trivkovic, D.
A1 Croes, K.
A1 Leray, P.
A1 Dillemans, L.
A1 Chen, Y.-F.
A1 Tokei, Z.
A1 Versluijs, J.
A1 Lesniewska, A.
A1 Paolillo, S.
A1 Baert, R.
A1 Puliyalil, H.
YR 2019
SN 2156-017X
SP 19.3.1
OP 19.3.4
LK http://dx.doi.org/https://doi.org/10.1109/IEDM19573.2019.8993538
DO https://doi.org/10.1109/IEDM19573.2019.8993538
SF ELIB - SuUB Bremen

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